K2611, MOSFET, Canal-N 9A 900V TO-247

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Sa technologie de pointe a été spécialement conçue pour minimiser la résistance à l’état passant, fournir des performances de commutation supérieures et résister aux impulsions à haute énergie en mode avalanche et commutation. Ces dispositifs sont bien adaptés aux alimentations à découpage à haut rendement

Description

Caractéristiques:

  • Numéro de modèle : K2611
  • Nombre de canaux : 1 canal
  • Polarité du transistor : canal N
  • Tension de rupture drain-source : 900 V
  • Courant de vidange continu : 9 A
  • Résistance drain-source : 1,1 Ohms
  • Tension grille-source : 30 V
  • Charge de porte : 58 NC
  • Plage de température de fonctionnement : -55 ~ 150 °C
  • Puissance dissipée : 150 W
  • Paquet : TO-247
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